ЭМ-4452-1

em-4452-1

Установка предназначена для лазерной прошивки микроотверстий, скрайбирования полупроводниковых пластин, а также - опционально - для формирования пленочных топологических структур межсоединений, удаления фрагментов пленки при помощи лазерного излучения без использования маски. Сфокусированное лазерное излучение позволяет прошивать микроотверстия в большом спектре материалов вне зависимости от их теплофизических свойств, а также производить лазерную обработку подложек для формирования пленочных структур межсоединений по управляющей информации в формате GDS или DXF.

 

Установка оснащена системой технического зрения с распознаванием обрабатываемых кристаллов по их топологическому рисунку. При лазерной резке и прошивке отсутствует механическое воздействие на обрабатываемый материал, возникающие деформации минимальны.

 

Технические характеристики 
ПараметрЗначение
Материал обрабатываемых пластин (подложек) Si, SiC, GaN и др.
Толщина обрабатываемых материалов, мкм 100 ... 400
Максимальный диаметр обрабатываемых пластин, мм 200
Минимальный диаметр получаемого отверстия, мкм 40
Рабочее поле координатного стола по координатам, мм 240 × 240
Перемещение по координате Z, мм 6
Воспроизводимость позиционирования координатного стола, мкм 5
Погрешность позиционирования формируемых отверстий по XY, мкм ±5
Отклонение диаметра входного отверстия от выходного не более, % 10
Минимальная ширина / шаг реза пленочных структур, мкм До 20 / До 30
Материал пленочных структур Al, Cu, Ag, Au
Толщина пленочной структуры, мкм 1 ... 2
Глубина нарушенного слоя подложки не более, мкм 1,0
Габаритные размеры, мм 1580×1180×1800
Масса, кг 1350