ЭМ-2090

em-2090

Установка предназначена для получения ультратонких пластин диаметром 76 - 200 мм из кремния, арсенид галлия и других полупроводниковых материалов.
Обработка пластин осуществляется в 3 этапа – двухстадийным шлифованием и полированием плоскости пластины. На протяжении всех этапов обработки пластина остаётся на одной и той же вакуумной планшайбе (держателе). При этом планарная плоскость пластины защищена липкой плёнкой, что значительно снижает риск повреждения пластины.

Конструктивные особенности
  • Два инструмента на чистовом шпинделе, работающих поочередно;
  • Качественное полирование свободным абразивом (Ra 0,05 ... 0,08 мкм)
  • Загрузка-выгрузка пластины на предметный стол с помощью специального вакуумного захвата;
  • Обработка пластин в непрерывном автоматическом цикле;
  • Возможноcть различного сочетания этапов и зернистости алмазных зёрен, а также реализации каждого этапа в отдельности;
  • Исключение вероятности человеческой ошибки благодаря встроенной системе автоматического определения положения рабочих плоскостей шлифовальных и полировального инструментов относительно поверхности предметного стола;
  • Вывод результатов на дисплей при помощи встроенной системы автоматического определения толщины обработанной пластины.
Технические характеристики
ПараметрЗначение
Обрабатываемые материалы Si, GaAs, Ge и пр.
Метод обработки 2 стадии шлифования;
1 стадия полирования
Диаметр обрабатываемых пластин, мм 76, 100, 150, 200
Количество шпинделей 2
Диаметр инструмента, мм 195
Исходная толщина пластин, мм До 2,0
Остаточная толщина обработанных пластин, мкм 100 (Ø100 мм),
120 (Ø150 мм),
170 (Ø200 мм)
Разнотолщинность обработанной пластины, мкм 3 (Ø100 мм),
4 (Ø150 мм),
5 (Ø200 мм)
Разнотолщинность от пластины к пластине, мкм ±3 (Ø100 мм),
±4 (Ø150 мм),
±5 (Ø200 мм)
Шероховатость обработанной поверхности пластины, Ra, мкм До 0,03
(в зав. от абразива и режимов)
Габаритные размеры, мм 1750 × 1400 × 1500
Масса, кг 2500