|
|
Установка предназначена для лазерной прошивки микроотверстий, скрайбирования полупроводниковых пластин, а также - опционально - для формирования пленочных топологических структур межсоединений, удаления фрагментов пленки при помощи лазерного излучения без использования маски.Сфокусированное лазерное излучение позволяет прошивать микроотверстия в большом спектре материалов вне зависимости от их теплофизических свойств, а также производить лазерную обработку подложек для формирования пленочных структур межсоединений по управляющей информации в формате GDS или DXF.
Установка оснащена системой технического зрения с распознаванием обрабатываемых кристаллов по их топологическому рисунку. При лазерной резке и прошивке отсутствует механическое воздействие на обрабатываемый материал, возникающие деформации минимальны.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Материал обрабатываемых пластин (подложек) | Si, SiC, GaN и др. |
| Толщина обрабатываемых материалов, мкм | 100 ... 400 |
| Максимальный диаметр обрабатываемых пластин, мм | 200 |
| Минимальный диаметр получаемого отверстия, мкм | 40 |
| Рабочее поле координатного стола по координатам, мм | 240 × 240 |
| Перемещение по координате Z, мм | 6 |
| Воспроизводимость позиционирования координатного стола, мкм | 5 |
| Погрешность позиционирования формируемых отверстий по XY, мкм | ±5 |
| Отклонение диаметра входного отверстия от выходного не более, % | 10 |
| Минимальная ширина / шаг реза пленочных структур, мкм | До 20 / До 30 |
| Материал пленочных структур | Al, Cu, Ag, Au |
| Толщина пленочной структуры, мкм | 1 ... 2 |
| Глубина нарушенного слоя подложки не более, мкм | 1,0 |
| Габаритные размеры, мм | 1580×1180×1800 |
| Масса, кг | 1350 |