|
|
Установка зондового контроля ЭМ-6080 предназначена для осуществления электрического контакта цепей измерителя Покупателя с контактными площадками кристаллов интегральных микросхем на полупроводниковых пластинах.
Функциональные особенности установки
-
Установка зондового контроля ЭМ-6080 обеспечивает:
- Электрический контакт цепей измерителя Покупателя с контактными площадками кристаллов ИС на пластине по заданной программе обхода;
- Работу в полуавтоматическом режиме (загрузка пластины вручную): автоматическая ориентация пластины, автоматический выход на базовый кристалл, автоматическое контактирование с контактными площадками кристалла; передача управления измерительной системе; сохранение результатов и составление карты брака, переход к следующему кристаллу в соответствии с картой обхода;
- Возможность одновременного тестирования нескольких кристаллов (мульти сайт);
- Автоматическое перемещение по одиночным кристаллам с заданным шагом по программе (карте) обхода с маркированием бракованных кристаллов в зоне измерения, а также маркирование кристаллов, не подлежащих измерениям и указанных в карте обхода;
- Автоматическое перемещение по одиночным кристаллам с заданным шагом по программе (карте) обхода с задержанным маркированием бракованных кристаллов вне зоны измерения, а также маркирование кристаллов, указанных в карте обхода как не подлежащие измерениям;
- Автоматическое перемещение по одиночным кристаллам с заданным шагом по программе (карте) обхода без непосредственного маркирования с созданием карты маркирования в виде файла для осуществления отложенного маркирования, в том числе зон, указанных в карте обхода;
- Перепроверка ранее забракованных кристаллов перед маркировкой;
- Маркировка без измерений по карте годности;
- Вывод результатов контроля на дисплей;
- Сохранение в памяти установки программ обхода и кодов контроля;
- В установке реализован режим «мягкого» контакта;
- электронные устройства и программное обеспечение установки обеспечивают переобучение на другое изделие непосредственно на установке с сохранением параметров в памяти установки для работы в условиях многономенклатурного производства.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальный диаметр контролируемых пластин, мм | 200 |
| Размер кристаллов, мм | от 0,4 х 0,4 до 20х20 |
| Погрешность контактирования (с СТЗ), мкм | ±4 |
| Разрешение по осям XY не менее, мкм | 2,5 |
| Повторяемость по осям XY не менее, мкм | 2,5 |
| Разрешение по оси Z не менее, мкм | 1,25 |
| Повторяемость по оси Z не менее, мкм | 3 |
| Тип привода | Линейный, крестообразный |
| Потребляемая электрическая мощность не более, кВт. | 0,8 |
| Регулирование температуры нагрева рабочей зоны при эвтектическом присоединении кристаллов, °С | 40 ... 400 |