Установка предназначена для получения ультратонких пластин диаметром 76 - 200 мм из кремния, арсенид галлия и других полупроводниковых материалов.Обработка пластин осуществляется в 3 этапа – двухстадийным шлифованием и полированием плоскости пластины.На протяжении всех этапов обработки пластина остаётся на одной и той же вакуумной планшайбе (держателе). При этом планарная плоскость пластины защищена липкой плёнкой, что значительно снижает риск повреждения пластины.
Параметр | Значение |
---|---|
Обрабатываемые материалы | Si, GaAs, Ge и пр. |
Метод обработки | 2 стадии шлифования;1 стадия полирования |
Диаметр обрабатываемых пластин, мм | 76, 100, 150, 200 |
Количество шпинделей | 2 |
Диаметр инструмента, мм | 195 |
Исходная толщина пластин, мм | До 2,0 |
Остаточная толщина обработанных пластин, мкм | 100 (Ø100 мм), 120 (Ø150 мм), 170 (Ø200 мм) |
Разнотолщинность обработанной пластины, мкм | 3 (Ø100 мм), 4 (Ø150 мм), 5 (Ø200 мм) |
Разнотолщинность от пластины к пластине, мкм | ±3 (Ø100 мм), ±4 (Ø150 мм), ±5 (Ø200 мм) |
Шероховатость обработанной поверхности пластины, Ra, мкм | До 0,03(в зав. от абразива и режимов) |
Габаритные размеры, мм | 1750 × 1400 × 1500 |
Масса, кг | 2500 |