|
|
Установка предназначена для получения ультратонких пластин диаметром 76 - 200 мм из кремния, арсенид галлия и других полупроводниковых материалов.Обработка пластин осуществляется в 3 этапа – двухстадийным шлифованием и полированием плоскости пластины.На протяжении всех этапов обработки пластина остаётся на одной и той же вакуумной планшайбе (держателе). При этом планарная плоскость пластины защищена липкой плёнкой, что значительно снижает риск повреждения пластины.
Конструктивные особенности
- Два инструмента на чистовом шпинделе, работающих поочередно;
- Качественное полирование свободным абразивом (Ra 0,05 ... 0,08 мкм)
- Загрузка-выгрузка пластины на предметный стол с помощью специального вакуумного захвата;
- Обработка пластин в непрерывном автоматическом цикле;
- Возможноcть различного сочетания этапов и зернистости алмазных зёрен, а также реализации каждого этапа в отдельности;
- Исключение вероятности человеческой ошибки благодаря встроенной системе автоматического определения положения рабочих плоскостей шлифовальных и полировального инструментов относительно поверхности предметного стола;
- Вывод результатов на дисплей при помощи встроенной системы автоматического определения толщины обработанной пластины.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Обрабатываемые материалы | Si, GaAs, Ge и пр. |
| Метод обработки | 2 стадии шлифования;1 стадия полирования |
| Диаметр обрабатываемых пластин, мм | 76, 100, 150, 200 |
| Количество шпинделей | 2 |
| Диаметр инструмента, мм | 195 |
| Исходная толщина пластин, мм | До 2,0 |
| Остаточная толщина обработанных пластин, мкм | 100 (Ø100 мм), 120 (Ø150 мм), 170 (Ø200 мм) |
| Разнотолщинность обработанной пластины, мкм | 3 (Ø100 мм), 4 (Ø150 мм), 5 (Ø200 мм) |
| Разнотолщинность от пластины к пластине, мкм | ±3 (Ø100 мм), ±4 (Ø150 мм), ±5 (Ø200 мм) |
| Шероховатость обработанной поверхности пластины, Ra, мкм | До 0,03(в зав. от абразива и режимов) |
| Габаритные размеры, мм | 1750 × 1400 × 1500 |
| Масса, кг | 2500 |